Nanobuizen combineren eigenschappen ram en flashgeheugen

Het gebruik van telescopische nanobuisjes zou moeten leiden tot de ontwikkeling van een nieuw soort geheugen dat de beste eigenschappen van random access memory en flash-geheugen zou moeten verenigen.

[img]http://tweakers.net/ext/i/1021535495.jpg[/img]

De telescopische werking van de nanobuisjes kan gebruikt worden om fysiek een 1 of een 0 te defini?ren. Door spanning op de concentrische buisjes te zetten, steekt de binnenste buis verder uit. Om de binnenste buis weer terug in de buitenste buis te doen bewegen, wordt de opgelegde spanning omgekeerd. Wanneer de spanning wegvalt, blijven de buisjes dankzij Van der Waalskrachten in de positie steken die ze hebben. Daarmee zou het nanobuis-geheugen een zeer gewenste eigenschap gemeen hebben met flash-geheugen: de data blijft ook zonder spanning bewaard.

Door gebruik te maken van een techniek die als nems, of nano-electro-mechanical systems, bekend staat, willen de onderzoekers van de universiteit van Nottingham een dichte matrix nanobuisjes bouwen. Aangezien nanobuisjes, afhankelijk van hun samenstelling, elektrisch geleidend zijn, kan het uitschuiven van de telescopische buizen benut worden om contact met een elektrode te maken. De nanobuisjes en bijbehorende elektrodes zouden klein genoeg zijn om de afmetingen van flash-geheugen te benaderen, en tegelijk snelheden kunnen halen die met de snelheid van ram wedijvert.

Lees verder op